博思數(shù)據(jù)：中國成世界最大大功率電子器件需求市場
2014-04-18 來源：博思數(shù)據(jù)研究中心 8條評論
導(dǎo)讀: 博思數(shù)據(jù)：中國成世界最大大功率電子器件需求市場，在國內(nèi)，60 年代晶閘管研究開始起步，70 年代研制出大功率的晶閘管，80年代以來，大功率晶閘管在中國得到很大發(fā)展，同時開始研制模塊;本世紀(jì)以來，開始少量引進超大功率晶閘管(含光控晶閘管)技術(shù);近年來國家正在逐步引進IGBT、MOSFET 技術(shù)。中國宏觀經(jīng)濟的不斷成長，帶動了大功率半導(dǎo)體器件技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的不斷深入。
我國電力電子器件起步較晚，外商在中國大功率半導(dǎo)體市場上占據(jù)絕對優(yōu)勢地位，不過近年來，我國電力電子器件件市場發(fā)展快速，在全球市場中所占的份額越來越大，已成為全球最大的大功率電力電子器件需求市場。
分立功率器件按照功率的大小劃分為大功率半導(dǎo)體器件和中小功率半導(dǎo)體器件。具體來說，大功率晶閘管專指承受電流值在200A 以上的晶閘管產(chǎn)品;大功率模塊則指承受電流25A 以上的模塊產(chǎn)品;大功率IGBT、MOSFET 指電流超過50A 以上的IGBT、MOSFET 產(chǎn)品。
1956 年美國貝爾實驗室(Bell Lab)發(fā)明了晶閘管，國際上，70 年代各種類型的晶閘管有了很大發(fā)展，80 年代開始加快發(fā)展大功率模塊，同時各種大功率半導(dǎo)體器件在歐美日有很大的發(fā)展，90 年代IGBT 等全控型器件研制成功并開始得到應(yīng)用。
在國內(nèi)，60 年代晶閘管研究開始起步，70 年代研制出大功率的晶閘管，80年代以來，大功率晶閘管在中國得到很大發(fā)展，同時開始研制模塊;本世紀(jì)以來，開始少量引進超大功率晶閘管(含光控晶閘管)技術(shù);近年來國家正在逐步引進IGBT、MOSFET 技術(shù)。中國宏觀經(jīng)濟的不斷成長，帶動了大功率半導(dǎo)體器件技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的不斷深入。
晶閘管、模塊、IGBT 的發(fā)明和發(fā)展順應(yīng)了電力電子技術(shù)發(fā)展的不同需要，是功率半導(dǎo)體發(fā)展歷程中不同時段的重要標(biāo)志產(chǎn)品，他們的應(yīng)用領(lǐng)域、應(yīng)用場合大部分不相同，小部分有交叉。
高電壓、大電流、高頻化、模塊化、智能化的方向發(fā)展。在10Khz 以下、大功率、高電壓的場合，大功率晶閘管和模塊具有很強的抗沖擊能力及高可靠性而占據(jù)優(yōu)勢，同時又因成本較低、應(yīng)用簡單而易于普及。在10Khz 以上、中低功率場合，IGBT、MOSFET 以其全控性、適用頻率高而占據(jù)優(yōu)勢。
據(jù)博思數(shù)據(jù)發(fā)布的《2014-2019年中國大功率半導(dǎo)體器件市場現(xiàn)狀分析及投資前景研究報告》表明：2012年我國大功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)量約1125萬只，同比2011年的938萬只增長19.94%，近幾年我國大功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)量情況如下圖所示：
資料來源：博思數(shù)據(jù)研究中心整理
中國電子器件市場分析與投資前景研究報告
報告主要內(nèi)容
行業(yè)解析
全球視野
政策環(huán)境
產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
技術(shù)動態(tài)
細分市場
競爭格局
典型企業(yè)
前景趨勢
進出口跟蹤
產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)查
投資建議
申明:
1、博思數(shù)據(jù)研究報告是博思數(shù)據(jù)專家、分析師在多年的行業(yè)研究經(jīng)驗基礎(chǔ)上通過調(diào)研、統(tǒng)計、分析整理而得，報告僅為有償提供給購買報告的客戶使用。未經(jīng)授權(quán)，任何網(wǎng)站或媒體不得轉(zhuǎn)載或引用本報告內(nèi)容。如需訂閱研究報告，請直接撥打博思數(shù)據(jù)免費客服熱線（400 700 3630）聯(lián)系。
2、站內(nèi)公開發(fā)布的資訊、分析等內(nèi)容允許以新聞性或資料性公共免費信息為使用目的的合理、善意引用，但需注明轉(zhuǎn)載來源及原文鏈接，同時請勿刪減、修改原文內(nèi)容。如有內(nèi)容合作，請與本站聯(lián)系。
3、部分轉(zhuǎn)載內(nèi)容來源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除（info@bosidata.com)，我們對原作者深表敬意。
2、站內(nèi)公開發(fā)布的資訊、分析等內(nèi)容允許以新聞性或資料性公共免費信息為使用目的的合理、善意引用，但需注明轉(zhuǎn)載來源及原文鏈接，同時請勿刪減、修改原文內(nèi)容。如有內(nèi)容合作，請與本站聯(lián)系。
3、部分轉(zhuǎn)載內(nèi)容來源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除（info@bosidata.com)，我們對原作者深表敬意。
